The Simulation Study of the SOI Trench LDMOS With Lateral Super Junction
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
High-voltage lateral trench gate SOI-LDMOSFETs
We present a lateral trench gate SOI-LDMOSFET that uses narrow trenches as channels. The lateral trench gate, which allows the channel current to flow laterally on the trench side walls, decreases its on-resistance because it increases the current spreading area of the device. The specific on-resistance ðRspÞ strongly depends on the trench depth, which affects the channel area on the side wall ...
متن کاملNew SOI lateral power devices with trench oxide
We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage a...
متن کاملan investigation of the types of text reduction in subtitling: a case study of the persian film gilaneh with english subtitles
چکیده ندارد.
15 صفحه اولthe effect of traffic density on the accident externality from driving the case study of tehran
در این پژوهش به بررسی اثر افزایش ترافیک بر روی تعداد تصادفات پرداخته شده است. به این منظور 30 تقاطع در شهر تهران بطور تصادفی انتخاب گردید و تعداد تصادفات ماهیانه در این تقاطعات در طول سالهای 89-90 از سازمان کنترل ترافیک شهر تهران استخراج گردید و با استفاده از مدل داده های تابلویی و نرم افزار eviews مدل خطی و درجه دوم تخمین زده شد و در نهایت این نتیجه حاصل شد که تقاطعات پر ترافیک تر تعداد تصادفا...
15 صفحه اولstudy of cohesive devices in the textbook of english for the students of apsychology by rastegarpour
this study investigates the cohesive devices used in the textbook of english for the students of psychology. the research questions and hypotheses in the present study are based on what frequency and distribution of grammatical and lexical cohesive devices are. then, to answer the questions all grammatical and lexical cohesive devices in reading comprehension passages from 6 units of 21units th...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Journal of the Electron Devices Society
سال: 2018
ISSN: 2168-6734
DOI: 10.1109/jeds.2018.2842236